| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교) |
| 권호 |
12권 2호 |
| 발표분야 |
나노 및 생체 재료 |
| 제목 |
이종 접합 기판을 이용한 AAO 템플레이트의 조직(Microstructures of AAO template using heterojunction substrate) |
| 초록 |
AAO 템플레이트는 나노 와이어나 튜브 등 나노 구조 재료를 제작하는데 적합한 구조를 가지고 있다. 이것은 10~500nm에 이르기까지 다양한 기공을 습식 방법 중의 하나인 양극산화 방법의 조건으로 쉽게 제어 할 수 있어 다양한 분야에서 응용이 가능하여 관심의 대상이 되고 많은 연구가 보고되고 있다. 본 연구에서는 AAO 템플레이트를 제작하기 위하여 이종금속인 Si 웨이퍼에 고순도의 Al을 증착하여 사용하였다. 이 증착된 Al을 100nm의 셀과 20~80nm의 pore diameter를 제작할 수 있는 옥살산(H2C2O4) 전해액에서 2단계 양극산화 방법으로 제작하였다. pore의 형태를 관찰하기 위하여 FESEM을 이용하였고 장벽층 아래에서 생기는 변화를 확인하기 위하여 Al이 다 소진 될 때까지 시간을 조정하였고 TEM을 이용하여 관찰하였다. 그 결과 양극산화 과정 동안의 전류 거동 그래프를 보면 전류가 일정하다가 감소하는 부분에서 Al이 소진된 것을 확인하였고 다시 증가하는 부분에서 장벽층 아래에 실리콘 산화물이 생성되는 것을 확인하였다. 그 형태는 반구형으로 pore 와 같은 크기를 가지고 있다. |
| 저자 |
허창회1, 기범수1, 권소현1, 정용수2, 서수정3, 오한준4, 지충수1
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| 소속 |
1국민대, 2KIMM, 3성균관대, 4한서대 |
| 키워드 |
AAO 템플레이트; pore diameter
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| E-Mail |
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