| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 22권 2호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료 분과 |
| 제목 | TEM-EELS를 이용한 디스플레이용 ZnON 박막의 미세구조 및 열화 원인 분석 |
| 초록 | 최근 디스플레이용 반도체 소자 및 재료에서 InGaZnO를 대체할 것으로 예상되는 고이동도의 Zinc oxynitride (ZnON) 박막에 대한 연구가 활발히 진행 중에 있으나[1], ZnON 박막이 대기 중에서 화학적, 전기적 특성이 급격히 열화 (Degradation) 되는 현상으로 인하여 미세구조 분석에 어려움이 있는 상태이다. 이에 본 발표에서는 ZnON 박막의 미세구조 분석을 위한 실험적 방법을 소개하고, 이를 통해 열화 현상을 이해하고자 한다. RF 스퍼터링 방법을 이용하여 전력과 산소/질소 비율을 조절하여 ZnON 박막을 유리 기판과 SiO2/Si 기판 위에 증착 하였고, 이어서 ZnO 또는 Pt 박막을 증착하여 박막 표면의 열화 방지층으로 사용하였으며, ZnO와 SiO2는 EELS를 이용한 정량분석시 참고물질 (Reference materials)로 사용되었다. 시편 간의 제작 및 분석 조건 차이를 최소한으로 줄이기 위하여, 각기 다른 조건의 시편을 하나로 적층하여 단면시편을 제작하였고, 제작 완료 후 관찰 전까지 진공 보관하였으며, 관찰 직전에 Ar+ 이온으로 표면의 열화층을 제거 후 (S)TEM과 EELS 분석을 실시하였다. [1] Jozeph Park et al., “A study on the electron transport properties of ZnON semiconductors with respect to the relative anion content”, Sci., Rep. 24787. [사사] 본 연구는 부분적으로 미래창조과학부의 대형연구시설 기반활용 R&D 지원사업과, 산업통산부 산업기술혁신사업의 연구비 지원에 의해 수행 되었습니다. |
| 저자 | 박윤창1, 김양수2, 김현석2, 성낙진3, 유정호1, 김진수1, 양준모1, 황욱중1 |
| 소속 | 1나노종합기술원, 2충남대, 3(주)엔시디 기술(연) |
| 키워드 | ZnON; Degradation; Specimen Preparation; TEM; EELS |
