| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | NOA60을 절연막으로 이용한 oxide TFT |
| 초록 | 본 연구에서는 oxide TFT의 dielectric layer를 투명한 액체 포토폴리머인 NOA(Norland Optical Adhesive) 60 을 사용하였다. NOA60은 무색 액체이며 자외선 빛을 받으면 polymer고체로 굳는다. 100W mercury 램프로 5분 동안 쪼여주었을 때 NOA60은 완전한 polymer 고체로 되었다. 또한 100% 고체 polymer가 되었을 때 shore-D type hardness는 81으로 매우 견고함을 알 수 있었고, 또한 수분 흡수가 0.15%로 낮아 장시간 보관에 dielectric layer로서의 좋은 특성을 가지고 있다. SiO2가 300nm 올라간 p-type wafer에 Source/Drain전극 형성을 위하여 Thermal evaporater를 이용하여 Ag을 250nm올리고 IGZO용액을 3000rpm, 50초로 2번 spin coating을 하였다. 생성된 IGZO층의 두께는 55um 이며 450oC에서 1시간동안 annealing해주었다. 다시 NOA60용액을 3000rpm으로 60초간 spin coating을 하고 UV lamp로 5분간 쪼여주어 두께 10um의 완전한 polymer 고체로 만들었다. Ag 을 170nm 올려 Gate 전극을 형성한 후에 전기적 특성을 측정하였다. 최종적으로 생성된 n-MOS TFT 의 W/L=358/77 um이며 이동도는 0.3cm2/Vs을 얻을 수 있었다. |
| 저자 | 구형석, 권석일, 박현애, 최병덕 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | NOA60; IGZO; oxide TFT |
