| 초록 |
Siloxane 기반 고분자 리간드가 도입된 InP 양자점(Quantum Dot, QD)은 에폭시 고리 열림 반응으로 합성 되었으며, 안정적인 InP QD/Siloxane 복합 필름을 제조하였다. 리간드 치환은 2단계로 이루어졌으며 먼저 Oleic acid (OA) 리간드를 OH 리간드로 치환 한 후, Siloxane 기반 고분자 리간드를 에폭시 고리 열림 반응으로 InP QD에 도입하였다. InP QD/Siloxane 복합 필름에서 Siloxane 기반 고분자 리간드로 치환된 InP QD의 균일한 분산은 SEM-EDS 이미지를 통해 확인 하였다. 이러한 Siloxane matrix 내 균일한 InP QDs의 분산은 효과적인 anti-quenching이 나타나며, Photoluminescence (PL) 이미지를 통해 알 수 있었다. 또한, InP QD 20 wt%가 함유된 InP QD/Siloxane 복합 필름은 85 ℃/85 RH (상대 습도) 조건에서 24시간 경과 후 광발광 (PL) 강도가 82% 수준을 유지하였으나, 같은 조건에서 OA QD / Siloxane 복합 필름은 PL 강도가 60%로 더 많이 감소하였다. |
