| 초록 |
ZnO는 상온에서 3.37 eV의 큰 밴드갭과 60mV의 높은 엑시톤 결합에너지를 갖고 있으며, 특히 1차원 구조의 ZnO 나노막대는 지름, 길이, 결함, 구조 등에 따라 물리적 또는 화학적 특성을 제어할 수 있기 때문에 전자 소자, 광학 소자 등에 적용하기 위하여 현재까지 많은 연구가 이루어지고 있다. 저온수열합성법은 ZnO 나노막대를 합성하기 위한 가장 간단한 방법 중 하나로서 SEED 층, ZnO 전구체의 비율, 온도, 시간, 기판 상태에 따라 다양한 형상, 크기를 제어 할 수 있는 장점이 있다. 본 연구에서는 SiO2/Si 기판과 Graphene/SiO2/Si 기판을 이용하여 저온수열합성방법을 통해 ZnO 나노막대를 성장시켰으며, 기판 상태에 따른 ZnO 나노막대의 차이를 비교하였다. 먼저 ZnO 나노막대 성장에 미치는 영향을 관찰하기 위하여 성장방법, 포스트어닐링 온도, SEED 층의 농도, 코팅횟수를 통해 최적화된 조건을 찾아 ZnO 나노막대를 성장시켰다. Graphene/SiO2/Si, SiO2/Si 위에 각각 성장된 ZnO 나노막대 특성을 SEM, XRD, Photoluminescence(PL)을 이용하여 분석하였다. |
