| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 |
21권 1호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 |
| 제목 |
Fabrication of Cu(In,Ga)Se2 thin film using CuGa/InSe stacked precursor |
| 초록 |
일반적으로 상용화된 CIGS 태양전지의 경우 Cu-In-Ga을 포함한 metal precursor를 이용하여 제조 된다. 하지만 이렇게 제조된 CIGS의 경우 Mo/CIGS 계면 사이의 void가 문제가 되고, 3단계 진공증발법으로 제조된 CIGS와 비교하여 표면이 균일하지 못하다는 단점을 가지고 있다. 본 실험에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여 Se을 포함한 CuGa/InSe 적층형 precursor를 이용하여 CIGS 박막을 제조하였다. 실험 결과 CuGa/In 적층형 precursor를 이용한 경우에 비하여 Mo/CIGS 계면의 void 문제가 개선된 점을 확인할 수 있었고, precursor에 포함된 In:Se의 비에 따라서 제조된 CIGS의 특성이 매우 다르다는 사실을 확인할 수 있었다. 또한, 이러한 방법으로 제조한 CIGS를 이용하여 박막태양전지를 제조하여 최고 14.2%의 효율을 얻을 수 있었다. |
| 저자 |
문선홍, 정광선, 안병태
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| 소속 |
KAIST |
| 키워드 |
<P>CIGS; thin film; 2-step; solar cell; 박막; 태양전지</P>
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