| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 | 23권 1호 |
| 발표분야 | C. 에너지 재료 분과 |
| 제목 | 플라즈마 노출시간 변화에 따른 SiNx 막의 패시베이션 및 광학적 특성 |
| 초록 | 최근 태양전지 산업이 성장함에 따라 결정질 실리콘, 박막형, 유기, 페로브스카이트 태양전지 등 다양한 연구가 진행되고 있다. 그 중 실리콘을 기반으로 한 태양전지(Silicon Solar Cell)의 경우 고효율 태양전지 제작방법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 고효율 태양전지를 만들기 위해서는 웨이퍼에 입사되는 빛을 많이 흡수하는 것이 중요하며 이를 위해 표면에서 반사되는 빛의 양을 줄이는 것이 중요하다. 또한 웨이퍼 표면에서 발생하는 소수캐리어의 재결합 현상을 줄이고 태양전지의 단락전류와 개방 전압을 동시에 상승 시킬 수가 있는 표면 패시베이션 막을 증착시키는 것이 중요하다. 본 연구에서는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)의 플라즈마 노출시간에 따른 SiNx 막의 특성을 확인하였다. 노출시간에 따른 샘플의 정확한 두께 및 굴절률을 측정하기 위하여 Elipsometer를 사용하였고 두께 69~137 nm에서 굴절률은 1.92~2.01로 확인하였다. UV-Vis Spectrophotometer를 사용하여 300~1100 nm 범위의 파장에서 표면 반사도를 측정하였다. Weight Reflectance를 계산하여 본 결과 두 가지 웨이퍼에 대하여 모두 SiNx 막의 두께가 증가할수록 Weight Reflectance가 증가하는 것을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 강동균, 현지연, 강윤묵, 이해석, 김동환 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | <P>Passivation(패시베이션); SiNx(실리콘 나이트라이드); Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(플라즈마 화학증착); 반사 방지막; Silicon solar cells(실리콘 태양전지) </P> |
