| 초록 |
n형 반도체인 SnO2, MoS2, Indium gallium zinc oxide는 기존에 활발한 연구가 진행되고 있다. SnO는 p형 반도체이며 전기전도도가 ZnO, NiO보가 우수한 장점이 있다. 본 연구에서는 SnO를 사용하여 직사각형 모양의 SnO의 중앙부분에 Oxide를 Capping하여 PNP junction structure를 제작하였다. Oxide Capping이후 I-V curve의 off current가 개선되었다. 이는 SnO의 산소 조성변화에서 기인한 것으로 p형 반도체인 SnO가 n형 반도체인 SnOx(1＜x＜2)로 변한 것이다. 이를 증명하기 위해 MEIS(Medium Energy Ion Scattering)을 이용해 SnO의 조성변화를 확인하였다. X-선 회절분석(XRD), 라만분광기(Raman Spectroscopy), UPS(ultraviolet photoelectron spectroscopy)분석을 통하여 물질의 결합상태와 상대적인 구성비, 그리고 밴드구조를 확인하였다. 또한 SEM(Scanning Electron Microscope)과 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 박막 표면구조를 분석하였다. |
