| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | O2/Ar분압비에 따른 W-In-Zn Oxide 박막의 특성평가 |
| 초록 | 최근 산화물 반도체를 이용한 박막트랜지스터(Thin film transistor) 기술이 기존의 비정질 실리콘 박막트랜지스터나 유기박막트랜지스터에 비해 고신뢰성 및 고이동도 특성을 가지고 있으며, 저온다결정 실리콘 박막 트랜지스터보다 균일성이 뛰어나기 때문에 많은 관심을 모으고 있다. 또한 산화물 박막트랜지스터는 능동액정디스플레이(active-matrix liquid crystal display) 또는 능동유기발광다이오드(active-matrix organic light-emitting diode) 에서 실리콘 기반을 대체 할 수 있는 가능성을 보여준다. 현재 산화아연(ZnO) 기반의 산화물 트랜지스터에 대해 많은 보고가 이루어지고 있다. 본 연구에서 WO3가 채널층의 도핑물질로 적합한지 그 가능성을 확인하기 위해 O2/Ar 분압비를 다양하게 조절하여 캐리어 변화를 확인하고 combinatorial sputter에서 WO3와 IZO (90:10 wt. %) 타겟을 사용하여 IZO-WO3 (WIZO) 채널층을 형성하였다. 분석은 Hall measurement, XRD(X-ray Diffraction), EDX 등의 분석장비를 이용하여 산화물 채널층의 전기적, 광학적 특성을 평가하였다. 형성된 WIZO박막은 비정질상의 결정성을 보였으며 O2분압비가 증가함에 따라 면저항이 증가함을 확인할 수 있었다. 본 연구에서 O2분압비를 조절하여 캐리어농도 변화를 관찰함으로써 WIZO 박막이 채널층으로 적용할 수 있는 가능성을 확인 할 수 있었다. |
| 저자 | 이영준1, 김태원2, 김주형1, 박재철2, 홍창우3, 이승현4, 김광영2, 허기석2 |
| 소속 | 1조선대, 2한국생산기술(연), 3동신대, 4전남대 |
| 키워드 | tungsten; IZO; combinatorial sputter |
