| 초록 |
최근 원자층 두께에서의 자성의 존재가 실험적으로 밝혀진 이후, 이차원 자성체의 기초적인 연구 뿐만 아니라 이를 이용한 스핀소자에 대한 연구가 활발히 진행 중에 있다. 연구 초기에 보고된 이차원 자성체의 경우 자성 전이온도가 100K이하로 매우 낮았으나, Fe5GeTe2, 1T-MnSe2, 그리고 1T-VSe2 등의 물질의 발견을 통해 원자층 두께에서도 상온 근처에서 자성 전이온도가 존재할 수 있다는 가능성이 보고되었다. 하지만 상온에서 자성을 띄는 원자층 두께의 이차원 자성체에 대한 연구는 현재 초기단계에 머물러 있으며, 이러한 소재들을 대면적으로 합성하는데 있어서는 연구가 전무한 상황이다. 본 발표에서는 상온에서 자성을 보일 수 있는 원자 단층의 단결정 VS2, VSe2물질을 화학기상 증착법을 통해 성장시킨 결과를 보고하고자 하며, 더 나아가 VS2의 셀레늄화를 통하여 3성분계 이차원 자성체 VSxSe1-x를 합성하는데 성공하였다. 성장된 VS2, VSe2, 그리고 3성분계 VSxSe1-x 물질에 대해 자기광커효과 측정을 통하여 자성을 분석하였다. |
