| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (11/12 ~ 11/14, 엑스코(대구)) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | 에너지저장변환-포스터 |
| 제목 | ALD 방법으로 성장한 Al-doped ZnO 박막의 전처리 효과 |
| 초록 | 이번 연구에서 우리는 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용하여 200 °C 기판 온도에서 50 nm 두께로 성장한 Al-doped ZnO (AZO) 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. H2O 전처리 과정을 통해 ZnO 박막의 구조적, 전기적 특성을 개선시켰다. Al 도핑 농도는 “n”회 ZnO 사이클 후, Al2O3 사이클을 1회 진행하는 것으로 조절하였다. 도핑 농도가 증가함에 따라 비저항은 감소하는 반면에 광학적 밴드갭은 증가하였다. Al2O3 사이클 비율이 5%일 때, 비저항은 4.76 x 10-3 Ω cm로 가장 낮았고 케리어 농도는 1.10 x 1020 cm-3 이었으며 가시 영역에서 90% 이상의 광 투과율 특성을 보였다. 또한 박막의 XRD 측정 결과에서도 (100) 면방향의 피크 세기와 FWHM에서도 가장 좋은 특성을 나타냈다. |
| 저자 | 고병수, 김정화, 황대규, 강진규 |
| 소속 | 대구경북과학기술원 |
| 키워드 | Al-doped ZnO; ALD; Pretreatment; H2O; nanostructure; TCO |
