| 초록 |
본 연구에서는 별도의 황(sulfur) 성분을 넣어주지 않고 Dimethyl sulfoxide(DMSO)를 용매이자 황의 제공원으로 이용하여 Bi2S3 나노로드를 합성하는 연구를 진행하였다. DMSO는 고온(150°C 이상)에서 분해가 일어나며, 분해과정 중에 주로 Dimethyl sulfide, Methanethiol, 그리고 Hydrogen sulfide가 많이 생성되는데, 이들이 황워 원료 역할을 수행하게 된다. 이러한 합성과정에서 BiOBr가 중간체로 형성되며, 형성된 BiOBr은 전구체로 작용하여 Bi2S3 나노로드로 성장하는 것을 확인하였다. 이에 DMSO, 올레산(oleic acid), Bismuth nitrate pentahydrate, 그리고 Tetraethylammonium bromide를 원료 물질로 사용하였고, 각각의 물질이 Bi2S3 형상에 주는 영향과 반응온도의 영향을 주사전자현미경과 X선회절 분석을 통해 비교 및 확인하였다. 이 결과를 바탕으로 Bi(ΙΙΙ) 이외에 황화물 무기물 반도체 합성에 수율이 높은 단일반응 합성법을 적용할 수 있을 것으로 기대된다. |
