| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 나노 및 생체재료 |
| 제목 | 상압화학기상 증착법에 의한 반도체탄소나노튜브의 성장과 300°C 대기에서의 산화열처리 효과 |
| 초록 | SiO2로 산화된 웨이퍼 위에 상압화학기상증착 기술로 Fe 촉매를 사용하여 반도체 탄소나노튜브를 성장하였으며, 이를 AFM을 이용하여 확인하였다. 이 나노튜브에 다층금속 전극(Cr/Pt)을 형성하여 전기적 특성을 조사하였다. 이때 전극사이의 거리는 1.2 micro-meter 이었다. 전기적 특성은 반도체 탄소나노튜뷰를 300°C, 대기 중에서 산화 열처리 시간을 변화시키면서 상온 대기에서 probe station을 이용하여 측정하였다. 반도체 탄소나노튜브는 300°C에서 산화 열처리 시간을 증가할수록 점차적으로 금속 탄소나노튜브로 변형되는 것을 보았다. 탄소나노튜브는 300°C, 대기에서 6시간 동안 산화 열처리 후 표면의 일부가 없어지는 현상을 투과전자현미경으로 확인하였다. |
| 저자 | 김좌연1, 박경순2 |
| 소속 | 1호서대, 2세종대 |
| 키워드 | 반도체; 탄소; 금속; 열처리; 나노튜브 |
