| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 |
19권 1호 |
| 발표분야 |
B. 나노재료(Nanomaterials) |
| 제목 |
InAs 양자점과 DWELL을 이용한 광대역 SLD 성장 (Growth of broad band SLD by using InAs QD and DWELL) |
| 초록 |
양자점은 낮은 문턱전압을 가지며 높은 효율을 구현함과 동시에 좋은 상온동작 특성을 보여 여러 광소자에 응용가능성이 크다. 특히 일반적인 S-K 양자점에 비해 원자층 에피 성장방법 ( Atomic Layer Epitaxy : ALE )으로 성장한 양자점은 크기, 조성비의 조절이 용이하며 크기 균일도가 우수한 장점뿐만 아니라 2차원 효과를 발생하는 wetting layer의 두께가 작은 장점이 있어 최근 많은 연구가 진행되고 있다. 이러한 양자점을 이용한 고휘도 광원 ( Super-Luminescence Diode : SLD )은 측면발광을 하고 파장 대역폭이 넓고 low-coherence 이며 단일모드 광섬유와 결합효율이 좋고 높은 광 효율을 얻을 수 있는 발광소자다. SLD의 파장 대역폭을 증가시키기 위해, 분자선 에피텍시( Molecular Beam Epitaxy : MBE ) 법으로 성장된 1.2㎛ 파장 대역의 발광 특성을 가지는 InAs ALE 양자점과 1.3㎛ 파장 대역의 발광 특성을 가지는 DWELL (Dots in a well)을 수직 적층하여 광학적 특성을 분석하였다. 상온 PL ( Photoluminescence ) 측정 결과 1178 nm와 1276 nm에서 두 개의 peak이 생김을 확인하였다. 이는 시료 내의 두 종류의 양자점이 모두 발광 특성을 보임을 의미하며, 두 양자점의 발광 특성이 중첩되어 파장 대역폭이 증가하는 효과를 보인다. 또한 EL ( Electroluminescence ) 측정 결과도 반치폭은 174 nm을 보여, 두 종류의 양자점을 수직으로 적층한 구조가 SLD의 파장 대역폭을 향상시킴을 알 수 있었다. |
| 저자 |
박성준1, 박문호2, 김호성2, 최원준2, 명재민1
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| 소속 |
1연세대, 2한국과학기술(연) |
| 키워드 |
SLD; InAs 양자점; DWELL
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