| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 봄 (05/18 ~ 05/20, 여수 디오션리조트 ) |
| 권호 | 22권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의해 성장된 BaIn2S4 단결정 박막 의 광학적 특성 |
| 초록 | 수평 전기로에서 BaIn2S4 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy) 방법으로 BaIn2S4 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 기판에 성장시켰다. BaIn2S4 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 620oC, 기판의 온도 420oC였고 성장 속도는 0.5 μm/hr였다. 이때 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 128 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 6.13 × 1017 cm−3, 222 cm2/v · s였다. BaIn2S4/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T)는 Varshni공식에 따라 계산한 결과 Eg(T) = 3.0581 eV −(3.9511 × 10−3 eV/K)T2/(T + 536 K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting energy Δcr값이 182.7 meV이며 spin-orbit energy Δso값은 42.6 meV임을 확인하였 다. 10 K일 때 광전류 봉우리들은 n = 1, 24일때 A1-, B1-와 C24-exciton 봉우리임을 알았다. †Corresponding |
| 저자 | 유상하, 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | BaIn<SUB>2</SUB>S<SUB>4</SUB> 단결정 박막; 광학적 특성; 최적성장조건; 에너지 밴드갭; 홀효과<BR> |
