| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (11/24 ~ 11/26, 경주 라한호텔) |
| 권호 | 27권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 질소 함입에 의한 스퍼터링 타겟의 원자 결합에 따른 InGaZnO Thin Film Transistor 특성 연구 |
| 초록 | 산화물 박막 트랜지스터 (Oxide Thin Film Transistor)는 높은 이동도, 높은 투명도, 낮은 누설전류를 가지고 있기 때문에, 기존의 실리콘 기반의 박막 트랜지스터를 대체할 수 있는 대안으로 활발한 연구가 이루어져 왔습니다. 그 중 a-IGZO TFT 전기적 성능을 개선하기 위해 gas reactive sputtering 기법으로 Nitrogen 도핑을 연구가 많이 선행되었습니다. 본 연구에서 보다 높은 질소 도핑 효과를 위해 타겟에 Nitrogen 직접 합입하는 방법을 통해 실험을 설계했습니다. 기존 Oxide 기반으로 제작된 타겟에 InN,GaN,ZnN 비율을 조절하여 일정량의 산소 대비 질소의 비율을 맞췄습니다. 조성이 다른 세가지 IGZON sputter target을 제작 후 IGZON 박막 증착을 진행했습니다. XPS, UPS 등의 분석을 통해 박막 내부 질소 함입 여부에 따른 IGZON 박막의 Mobility, Vth, Bandgap구조 등을 분석했습니다. 이는 a-IGZO, IGZON 활성층이 고성능 차세대 TFT, 투명 디스플레이, Flexible 기판 등의 주 재료로 상용화 가능할 것이라 기대합니다. |
| 저자 | 박세연, 이미정 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | <P>스퍼터링; 타겟; 질소함입; 질소도핑; 금속산화물 박막트랜지스터; IGZO TFT; IGZON TFT</P> |
