| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 |
22권 2호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 |
Growth of GaN on diverse crystal plane with cone-shaped of patterned sapphire substrate |
| 초록 |
PSS(Patterned Sapphire Substrate)기판에 GaN을 성장하는데 있어 MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)를 사용하여 특정 조건에서 PSS Lens영역에 성장하는 것을 보았다. PSS에 GaN이 성장하는데 있어 모든 지역에서 고르게 성장을 하지 않으며 특정 지역에서 GaN이 우선적으로 성장하는 것을 확인하였다. PSS의 특정 지역의 plane을 확인을 하기 위해 m-axis와 a-axis를 기준으로 SAED(Selective Area Electron Diffraction)을 확인하여 결정방향을 증명을 했다. 찾아낸 PSS Lens의 방향을 기준으로 GaN을 성장을 시켜 메커니즘을 증명을 하였다. |
| 저자 |
조승희, 김대식, 정우섭, 박준성, 김철, 변동진
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
GaN; PSS; MOCVD
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| E-Mail |
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