| 초록 |
DRAM(dynamic random access memory) 을 대체할 수 있는 emerging memory 로서 STT-MRAM(spin transfer torque-magnetic random access memory) 은 오랜 시간 주목받아 왔다. 현재 high capacity MRAM chip 이 상용화를 앞두고 mass production 단계에 들어갔지만 MRAM 의 미세화에 대한 요구는 현재 진행중으로 이를 위한 많은 연구들이 진행되고 있다. 즉 high density magnetic random access memory 를 위해 패턴의 간격뿐만 아니라 MTJ stack 의 사이즈도 nm 사이즈로 점점 미세화 됨에 따라 MTJ stack 식각은 STT-MRAM 의 미세화에 여전히 매우 중요한 요소라고 할 수 있다. MTJ stack 의 식각을 위해 IB(ion-beam) etching, pulse plasma etching, ion-milling, CO-based chemistry etching 등 많은 연구가 진행되고 있지만 현재 ~10 nm diameter 의 nanoscale 급 MTJ 식각 시 발생하는 sidewall oxidation, lattice distortion, sidewall residue, oxidation damage 등으로 인한 MRAM 의 performance 저하는 여전히 문제가 되고 있다. 따라서 본 연구에서는 식각시에 발생하는 sidewall oxidation 및 etch damage 를 개선하고 이를 VSM 등을 통하여 MTJ 의 magnetic property 향상을 위한 연구를 진행하였다. |
