| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | Si 기판 상에 성장시킨 AlGaAs/GaAs 다중양자우물의 특성 (Growth and Characteristics of AlGaAs/GaAs Multi Quantum Well on Si) |
| 초록 | III-V족 화합물반도체는 대부분의 경우 직접발광천이형의 결정구조를 가지고 있어 수발광소자 및 고속전자소자의 기판으로 다양하게 사용되고 있으나, 크기가 제한되고 가격이 Si 기판에 비해 매우 고가인 단점이 있다. III-V족 화합물반도체의 여러 단점을 극복하고 저가의 반도체레이저 생산을 위해서는 저가의 대면적 Si 기판 상에 III-V 족 화합물반도체 성장기술을 개발하고, 이를 기반으로 대면적 Si 기판 상에 반도체레이저를 제작하는 기술개발이 필요한 시점이다. 본 연구는 MBE(molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 저가의 Si 기판 상에 III-V 족 화합물반도체인 AlGaAs/GaAs MQW (Multi Quantum Well)을 성장하고 광학적 특성을 분석하였다. Si 기판 상에 III-V족 화합물반도체를 성장하는 경우 격자 불일치에 의한 strain으로 인해 dislocation loop 등의 결함이 생기므로 결함을 차단하기 위한 strain 제어 기술이 중요하다. 따라서, 본 연구에서는 Si표면과 III-V 화합물 층 사이에 InAs 양자점을 성장하여 층간의 격자 부정합을 최소화 하였다. 층간의InAs 양자점은HR TEM (High-Resolution Transmission Electron Microscopy) 을 통해 확인하였으며, 광학적 특성은 PL (Photo Luminescence)를 통해 확인하였다. |
| 저자 | 박성준1, 명재민2, 최원준2, 임주영1, 오현지1, 김민태1 |
| 소속 | 1한국과학기술(연), 2연세대 |
| 키워드 | MBE; InAs quantum dots; Multi quantum well |
