| 초록 |
SnO 박막은 높은 캐리어 이동도(mobility)와 가시광선 영역에서 높은 투과도로 인해 전도유망한 p-type 산화물 재료로 평가 받고 있다. 특히, SnO 박막은 동질 pn 투명 다이오드 소자에 적용될 수 있는 재료 중 하나이다. 본 연구에서는 SnO/Sn (9:1 at%) 혼합 타겟(composite target)을 가지고 RF 반응성 스퍼터링(sputtering) 방법을 사용하여 p형과 n형 SnO 박막을 제작하였다. SnO/Sn 혼합 타겟은 저온 Hot Pressing 방법으로 제작되었고, 약 200nm의 SnO 박막은 붕규산 유리와 ITO 유리 기판 위에 증착하였다. 박막의 진공 열처리는 300oC에서 1시간 진행하였고, 열처리 전후의 시편은 구조적(XRD, XPS), 전기적(hall effect measurement), 광학적(UV-vis spectrometer) 측정을 통해 특성을 분석 진행하였다. 산소분압(PO2)이 3%일 때 SnO 박막이 p형 전도 특성을 보였으며, 캐리어 농도는 1018 cm-3, 정공 이동도는 1.1 cm2V-1s-1로 나타났다. 또한, p형 특성과 n형 특성을 나타내는 SnO 박막을 가지고 SnO 동질 pn 다이오드를 제작하였으며, 다이오드 정류특성이 나타남을 확인하였다. |
