| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (11/05 ~ 11/05, 인하대학교) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 반도체 II(화합물) |
| 제목 | FVA와 열저항 측정을 이용한 GaN 기반 LED의 열분석 |
| 초록 | 반도체 발광 소자의 발광효율이 종래의 광원에 비하여 증가하는 추세에 따라 조명용 광원으로의 전망은 아주 밝을 것으로 확실시 되고 있다. 그러나 GaN를 기본으로 하는 이러한 가시광 LED의 작동 시에, 전기적 출력이 높아질수록 LED에서 발생하는 열문제는 소자의 신뢰성에 아주 중요한 문제로 인식되고 있다. 이 연구에서는 GaN 기반의 LED의 열적모델링과 열측정에 대해 보고한다. GaN는 130W/m·K의 좋은 열적 특성값을 갖고 있음에도 불구하고 Sapphire substrate의 열적 특성값이 46 W/m·K으로 좋지 않아 열의 발산을 방해 할 것이다. 이에 반해 SiC substrate의 열적 측성값은 490 W/m·K으로 우수하여 패키지의 열의 방출이 용이하며 열저항을 낮출 것으로 예상된다. 따라서 본 연구에서는 FVA(Finite Volume Approach)를 이용한 LED 패키지의 시뮬레이션에 의한 온도 분석과 Thermal Transient Tester를 이용한 열분석 실험을 통하여 SiC substrate와 Sapphire substrate의 영향특성을 비교하고, 또한 LED 패키지에 따른 열적 거동을 증명할 것이다. |
| 저자 | 이태희, 황웅준, 신무환 |
| 소속 | 명지대 |
| 키워드 | GaN; Thermal; FVA; LED |
