| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2000년 가을 (10/20 ~ 10/21, 포항공과대학교) |
| 권호 | 6권 2호, p.4833 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 양축정렬된 Ni기판위에 MOCVD방법으로 완충층의 제조 |
| 초록 | Cube texture를 갖는 Ni기판위에 MOCVD(Metal Chemical Vapor Deposition)방법을 이용하여 NiO, CeO2 박막을 제조하였다. NiO(200)와 CeO2(200) buffer layer는 450~470oC에서 10분간 MOCVD방법으로 (100)Ni 기판위에 직접 증착하였다. 제조된 NiO, CeO2 buffer layer는 조직이 치밀하며 표면의 상태가 매우 좋으며 Ni 기판 위에 epitaxial하게 성장하였다. NiO는 Ni기판과 NiO//Ni의 방위관계를 가지고 성장하였으며, CeO2는 증착조건에 따라 CeO2 //Ni 및 CeO2 //Ni 의 방위관계를 가지고 성장하였다. 증착된 NiO막과 CeO2막에서 균열은 발생하지 않았다. |
| 저자 | 이영민, 이희균, 신형식, 홍계원 |
| 소속 | 한국원자력(연) |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
