| 초록 |
최근에 DRAM을 대체할 수 있는 차세대 반도체 메모리소자에 대한 개발이 다각도로 개발되고 있다. 그러한 연구의 일환으로 고속 읽기/쓰기가 가능하며, DRAM과 같이 고집적화 할 수 있는 새로운 불휘발성 메모리인 magnetoresistive random access memory(MRAM)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. MRAM이란 자기저항효과라는 특성을 가진 소자를 이용하여 집적한 메모리이다. 자기저항효과를 가진 소자 중 tunneling magnetoresistance(TMR)를 나타내는 박막 재료가 실용화에 가장 근접한 재료로 알려져 있다. 그러나 TMR stack을 구성하는 물질 중에서 자성물질은 일반적으로 식각이 어려운 것으로 알려져 있으며, 현재 이 물질들의 건식 식각에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 연구에서는 inductively coupled plasma reactive ion etcher(ICP RIE)를 사용하고 Cl2/Ar과 C2F6/Ar 식각 가스들을 선택하여 자성 박막들에 건식 식각이 연구되었다. 제안된 두가지 식각 가스의 농도에 따라 건식 식각하고 그에 따른 식각속도를 조사하였다. 또한 field emission scanning electron microscopy(FESEM)를 이용하여 식각 profile을 관찰함으로써 최적의 식각 가스와 식각 조건을 찾고자 하였다.
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