| 초록 |
본 연구에서는 SiC 동종 박막 성장 전에 on-axis 6H-SiC(1000) 기판을 사용하여 CMP 와 수소 식각 공정의 표면처리를 통해 micropipe 및 scratch등의 표면 결함을 제거하고, 또한 on-axis 기판의 polished 면을 제거함으로서 0.5° 기울어져 있는 SiC층을 드러내어 표면에 microsteps을 형성함으로써 "step-controlled epitaxy" 성장법에 의한 고품질의 6H-SiC 동종 박막을 성장한다. CMP공정만 하였을 때는 120분 동안 CMP 공정 후에 macrosteps이 형성되었고, CMP 공정과 수소 식각을 병행하였을 때는 20분 동안 CMP 공정을 수행한 후 1580℃, H2(1000sccm)에서 10분 동안 식각을 하였을 때 macrosteps 사이로 microsteps이 형성 되었다. 그러나 수소 식각 공정만 수행하였을 경우 1500℃, H2(1000sccm)에서 10분동안 식각을 하였을 때 6H-SiC 기판 자체 내에 함유되어 있는 결함 제거와 함께 microsteps이 형성되었다. 또한 표면 처리가 수행된 6H-SiC(0001) 기판 위에 고주파 유도 화학 증착 (RF-CVD) 장치를 이용하여 동종 성장을 수행 하였다. 전처리 공정 후의 6H-SiC 기판은 원자 힘 현미경(AFM)을 이용하여 형성된 step 구조를 확인하였고, X선 회절 분석(XRD), Raman 산란, 광 루미네센스 (PL)을 이용하여 고품위의 6H-SiC가 성장된 것을 확인하였다. 또한 광학현미경과 주사전자현미경 (SEM)을 사용하여 표면의 균일성과 미세 형성 구조 분석하였다. |
