| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (11/24 ~ 11/26, 경주 라한호텔) |
| 권호 | 27권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | Random network structured Resistive random access memory by using an electrospinning method and carbon nanotubes |
| 초록 | 인간의 신경계 구조를 모방한 뉴로모픽 소자는 차세대 메모리 소자로 각광받고 있으며 그 중 저항 변화 특성을 이용하여 작동하는 RRAM(Resistive Random Access Memory, 저항변화메모리)은 낮은 구동 전압과 빠른 속도, 높은 집적도로 뉴로모픽 소자로서의 가능성을 인정받고 있다. 본 연구는 인간의 신경계와 유사한 램덤 네트워크 구조를 가지는 RRAM 소자를 제작을 목적으로 한다. Al native oxide를 insulator 층으로 이용하여 제작된 Al-C구조 RRAM의 메모리 특성은 이전 연구를 통해 검증된 바 있다. electrospinning법으로 Al random network를 구현하였고 CNT용액 spin coating을 통해 C random network를 구현하였다. Al-C 구조를 활용하여 Al random network-C 구조 RRAM 소자와 Al -C random network 구조 RRAM 소자를 제작하였고 전압에 따른 저항 상태 변화가 확인되었다. 개발된 소자의 저항 상태 변화를 바탕으로 on/off ratio 를 확인하였고 반복실험을 통해 endurance가 확인하였다. 본 연구에서 개발된 random network구조의 RRAM 소자는 random network구조를 가지는 인간의 신경망과 유사한 거동을 보이며 차후 완전한 random network구조 메모리소자 개발에 활용될 수 있다. 또한 별도의 insulator 형성 과정이 없으므로 저비용, 대량생산이 가능하다는 장점이 있다. 개발된 소자는 메모리소자의 한계를 뛰어넘어 인간의 신경망과 매우 유사한 구조를 가지는 뉴로모픽 소자 개발에 기여할 것으로 기대된다. |
| 저자 | 윤지향, 이미정, 김혜미 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | neuromorphic device; RRAM; random network; CNT; electrospinning |
