| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 |
21권 1호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 |
사파이어웨이퍼 연마에대한 실리카졸 물성의영향Effect of silica sol property on sapphire wafer polishing |
| 초록 |
사파이어웨이퍼(sapphire wafer)의 연마에 사용되는 실리카졸(silica sol)의 특성은 웨이퍼의 생산수율과 품질에 영향을 미치므로 적합한 특성을 가지는 실리카졸을 선택하는 것이 필요하다. 웨이퍼의 연마공정에서 웨이퍼-패드-입자(wafer-pad-abrasive) 사이의 발생하는 전단력에 의해 마찰력이 발생하고 연마슬러리의 온도가 상승한다. 그러나 연마 입자가 패드와 웨이퍼 사이에 머무르는 시간이 감소하여 패드와 웨이퍼 간의 접촉점이 높아지면 슬러리 온도가 적정 온도보다 높아져 웨이퍼를 수지로 지지하고 있는 캐리어(carrier)로부터 웨이퍼가 탈리하여 웨이퍼 혹은 패드 손상을 일으킬 수 있다. 본 연구에서는 사파이어웨이퍼 연마용 실리카졸의 입자의 분포, 크기와 표면특성이 온도 상승과 연마율에 대한 영향을 논의하였다. 특히 작은 입자가 많이 포함된 졸일수록 패드의 골(asperity)에 누적되어 패드와 웨이퍼 간의 접촉점이 증가함으로서 슬러리 온도 상승의 주 요인으로 작용하고 연마율에 영향을 주었다. 또한, 실리카졸의 표면전하(surface charge)와 제타전위(zeta potential)가 연마슬러리의 온도 변화와 연마율을 변화 시켰다. |
| 저자 |
이승호1, 나호성1, 김규수2, 김대성1
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| 소속 |
1한국세라믹기술원, 2에이스나노켐 |
| 키워드 |
sapphire wafer polishing; silica sol property; slurry temperature; polishing rate
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