| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2007년 가을 (10/26 ~ 10/27, 한국과학기술원) |
| 권호 |
13권 2호, p.2282 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
Structural and Morphongical Prorerties of Nitrogen Doped Polysilicon |
| 초록 |
Polysilicon(Poly-Si)은 Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)를 기반으로 한 소자들의 게이트(gate) 재료로 널리 이용되고 있다. MOS를 기반으로 한 소자들의 선폭이 계속 감소함에 따라 소자의 성능은 표면 구조와 결정 크기분포 등과 같은 박막 특성에 크게 영향을 받고 있다. 특히, 결정 소자들의 내구성과 신뢰성을 유지하기 위해서는 전체 박막에 동일한 결정 크기분포가 요구된다. 본 연구에서는 질소로 도핑된 poly-Si을 이용하여 poly-Si의 형태와 결정 크기분포 개선을 살펴보았다. 질소로 도핑된 poly-Si은 SiH4와 NH3을 사용한 Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD)에 의해 증착되었다. 온도와 NH3/SiH4 비율의 변화에 따른 증착속도, 질소농도, 표면 조도, 결정 크기의 변화를 관찰하였다. 질소로 도핑된 poly-Si의 증착속도는 NH3/SiH4 비가 증가할수록 감소하였는데 이는 SiH4의 열분해가 NH3에 의해 억제되었기 때문이다. 또한 질소로 도핑된 poly-Si의 표면 조도도 NH3/SiH4비가 증가할수록 감소하였다. 따라서 질소로 도핑된 poly-Si의 표면 조도는 미세구조보다는 증착속도에 밀접하게 관련되어 있음을 알 수 있었다. |
| 저자 |
권혁규1, 우상호1, 이형무1, 김창구1, 김일욱2, 엄평용2, 김해원2, 조성길2, 최형수2, 이동근2
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| 소속 |
1아주대 에너지시스템학부 화학공학과, 2(주) 유진테크 |
| 키워드 |
Doped Polysilicon; Nitrogen
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| 원문파일 |
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