| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2005년 가을 (10/28 ~ 10/29, 건국대학교) |
| 권호 |
9권 2호 |
| 발표분야 |
화학공정 |
| 제목 |
반도체용 CVD Precursor의 증기압 측정 방법에관한 연구 |
| 초록 |
반도체 제조 공정에서 고순도 박막 및 수율 증대를 위하여 증착 공정에서 사용되는 Precursor의 증기압은 대단히 중요하다. Precuesor는 공기중에서 쉽게 분해되고, 유독하기 때문에 Closed system에서 취급 되어야 하기에 그 물성 평가가 대단히 어렵다. 본 연구에서는 고 진공 system을 이용하여 precursor의 증기압 측정 방법을 위한 연구로, sample chamber와 게이지의 온도 불균일화로 인한 오염입자 석출을 방지하기 위한 연구 및 system내부의 precursor 오염 입자들의 제거를 위한 연구 등을 수행 하였다. 시료를 넣지 않은 sample chamber를 터보 pump를 이용, 약 1x 10-6torr 진공도에 도달하게한 후 pump system과 격리하자 내부 압력이 증가 하였다(0.4Torr /6hr). |
| 저자 |
이지훈1, 윤주영2, 문두경1, 성대진2, 신용현2, 정광화2
|
| 소속 |
1건국대, 2한국표준과학(연) |
| 키워드 |
Precursor; vapor pressure; ALD; CVD
|
| E-Mail |
|
