| 초록 |
반도체 소자의 다양한 활용을 위해 전력과 소자 밀도를 줄이는 기술은 계속적으로 요구되고 있다. 이를 위해 우리는 혁신적인 구조의 ternary 인버터를 개발하였다. 이 구조는 그래핀을 활용하여 기존 2진법 논리회로와 똑같은 기능을 수행하며, 소자 밀도는 낮지만 높은 정보 밀도를 나타낼 수 있다. 그래핀 채널의 전도성이 게이트 전압에 선형 비례하므로, 전도성의 조작이 용이하다. 감광제로 채널의 반을 막고, rhodamine 6G를 스핀 코팅하여 뚫린 부분만 선택적으로 n도핑하여, P-N junction을 제작하였다. 2번째 소자 역시 염료에 의해 n도핑되어 N-N-P 패터닝을 완성하였다. 유기 염료에 도핑된 비율이 늘어남에 따라, 디락 전압이 이동하여 P-N junction이 더욱 분명하게 나타나 유기 염료가 효과적으로 그래핀을 도핑시킴을 알 수 있다. 이 인버터는 간단한 제작공정과 2개의 소자로 확실한 ternary 상태를 출력하여, 회로 기술의 발전에 새로운 가능성을 열 것이다. |
