| 초록 |
최근에 넓은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체를 태양전지와 디스플레이의 투명 전극으로 개발하기 위한 연구가 상당한 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 Ga이 도핑된 In2O3 박막을 다양한 증착 온도 (25~400℃)에서 증착한 후에, 박막의 구조, 표면, 전기, 광학적 특성을 측정하여 최적의 성장 조건을 조사하였다. In2O3:Ga 박막은 RF 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하여 유리 기판 상부에 성장시켰으며, 스퍼터링 타겟은 직경 1인치, 두께 15 mm를 갖는 Ga2O3가 도핑된 In2O3를 손수 제작하여 사용하였다. 챔버의 초기 진공도는 터보 펌프를 사용하여 5x10-6 torr 이하로 배기하였고, 스퍼터링 가스 투입 후에 챔버의 진공도를 3.5x10-2 torr로 고정하였다. 서로 다른 온도로 증착된 Ga이 도핑된 In2O3 박막의 경우에, 증착 온도가 증가함에 따라 전하 운반자의 농도는 점차적으로 증가하는 경향을 나타내었으며, 400℃에서 증착한 박막의 경우에 전하 운반자의 농도는 1.6x1020 cm-3 이었다. 또한, 증착 온도의 변화에 따른 박막의 결정성, 투과도, 밴드갭 에너지의 상관관계를 조사하여 최적의 증착 온도를 결정하였다. |
