| 초록 |
Aluminum Induced Crystallization (AIC) 공정을 사용하여 폴리 실리콘 시드층 (seed layer)을 만들고, 이를 특성 분석하였다. 종래의 AIC 공정은 잔여 알루미늄 층의 제거로 인해 연속적인 공정이 어려웠으나, 본 연구는 시드층의 생성 후 연속적인 에피텍시얼 성장이 가능한 Inverse AIC (I-AIC) 공정을 사용하였다. Si 층과 Al 층은 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 증착하였고, 확산 방지막은 다양한 방법으로 생성한 SiO2를 이용하였다. 폴리 실리콘 시드 배향은 후방산란 전자회절법 (Electron backscattering diffraction: EBSD)을 이용하여 확인하였고, 폴리실리콘의 결정성 및 결정 분률은 라만 분광법(Raman spectroscopy)을 이용하여 확인하였다. 또한 전계 방출형 전자주사현미경(Field emission Scanning electron microscopy)을 통해 시드층의 결정립 크기를 확인하였다. 특성분석을 통해, I-AIC 공정에서 SiO2 확산방지막의 생성 방법 및 두께가 폴리 시드층의 결정립 크기 및 배향에 중대한 영향을 미치는 것을 알 수 있었다. |
