| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | Al 함량이 다른 AZO 박막의 전기적, 구조적, 광학적 특성에 관한 연구 |
| 초록 | 최근 투명전도성산화물(Transparent Conducting Oxide)은 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light-emitting Diodes), 태양전지 등 다양한 분야에서 널리 이용되어 지고 있다. Al이 첨가된 AZO 박막은 원재료의 가격이 저렴하고, 가시광영역에서의 투과도가 높으며, 낮은 비저항을 가지고 있기 때문에 TCO의 재료로서 사용하기 위해 많은 연구가 진행 되어 지고 있다. AZO 박막의 제작은 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Al2O3의 첨가량 (1.0wt%, 2.0wt%, 3.0wt%)이 다른 고밀도 AZO타겟을 사용하여 non-alkali glass 기판위에 다양한 조건(파워, 전압, H2 첨가량, 기판온도 등)으로 성막 하였다. AZO박막의 전기적 특성은 Hall Effect Measurements를 사용하여 측정 하였으며, 구조적 특성, 박막의 과학적 조성 및 광학적 특성은 XRD(X-ray diffraction), AFM(Atomic Force Microscope), XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 및 UV-Vis Spectrophotometer를 사용하여 평가 하였다. AZO(Al2O3함량:2.0wt%) 타겟을 사용하여 RT에서 성막한 AZO 박막은 높은 투과율(80%이상)과 상대적으로 낮은 비저항(1.82x10-3Ωcm)을 보였다. 이는 XRD, Hall effect, XPS 결과로부터 Al 첨가 및 기판온도의 증가에 따른 박막의 결정성의 향상 및 캐리어 밀도의 증가에 기인한다고 생각된다. |
| 저자 | LuoJie1, 이정철2, 박상은1, 이진호2, 송풍근1 |
| 소속 | 1부산대, 2재료공학부 |
| 키워드 | AZO; 마그네트론 스퍼터링; Al2O3 함량 |
