| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 ) |
| 권호 | 12권 1호 |
| 발표분야 | 나노 및 생체재료 |
| 제목 | 압력, 온도, 유속에 따른 SiC 박막의 특성 |
| 초록 | SiC 박막은 전기적, 열적, 화학적 특성 때문에 고온의 열악한 환경에서도 사용할 수 있는 전기소자를 만들 수 있는 소재로서 각광받고 있다. 최근 SiC는 Si 기판위에 GaN 이나 Diamond 막을 형성하는 데 있어 buffer layer 로 사용되거나, 푸른색의 LED 소재로서 많이 사용되고 있다. 3C-SiC 박막은 주로 gas source 를 이용한 CVD(Chemical Vapor Deposition) 나 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 로 만들어지고 있으며, 일반적으로 SiH4 , SiCl4 와 Ar gas 를 carrier 로 한 C3H8, C2H4 등의 gas source 를 사용했으나, 이는 Si 와 C 의 화학식량이 달라 dislocation 이나 stacking fault 등의 defect 를 유발할 수 있으며, 더욱이 SiCl4 와 H2 는 독성이 있어 위험하기 때문에, 최근에는 단일전구체를 이용한 박막증착이 많이 연구되고 있다. 이 실험에서는 증착 조건에 따른 SiC 박막의 성질을 알아보기 위해 Si(111) 기판 위에 단일전구체인 TMS(Tetramethylsilane, (CH3)4Si, Aldrich. Co) 를 source gas 로 한 CVD 로 β-SiC 박막 을 형성하였고, SEM, XRD, TEM 등을 통해 특성을 분석했다. Acknowledgements: This research was supported by a grant(code # : 04K1501-03110) from 'Center of Nanostructured Materials Technology' under '21st Century Frontier R&D programs' of Ministry of Science and Technology, Korea |
| 저자 | 이도한1, 이성일2, 김나리1, 김재수3, 변동진1 |
| 소속 | 1고려대, 2서울산업대, 3한국과학기술(연) |
| 키워드 | SiC; SiC 박막; CVD; TMS |
