| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | DC 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 증착한 ZnO 박막의 Indium 첨가량에 따른 구조적, 전기적 특성 |
| 초록 | DC 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착된 Indium-tin-oxide (ITO) 박막은 현재 투명 전극으로서 표시소자를 포함한 다양한 디스플레이뿐만 아니라 창문의 열반사 코팅, 태양 전지등과 같은 대부분의 광전자 기기에서 널리 사용되고 있다. Zinc –oxide (ZnO) 박막은 가시광 영역에서의 높은 투과율, 값싼 타겟 제조 비용, 무독성 때문에 ITO에 대체 가능한 유력한 후보 물질로 각광 받고 있다. 그럼에도 불구하고 ZnO 박막은 ITO 박막과 비교하였을 때 상대적으로 낮은 캐리어 밀도를 가지기 때문에 비저항이 높은 문제점을 수반한다. ZnO 에 Al, Ga 등과 같은 3가 이온의 도핑은 donor를 생성시키는 역할을 한다. 이로 인한 캐리어 밀도 상승은 박막의 비저항을 감소시킨다. 불순물을 첨가한 AZO 및 GZO 박막에 대한 연구는 활발하게 진행되고 있다. 하지만, In을 첨가한 ZnO (ZIO) 박막에 대한 연구는 매우 한정적이다. 본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 증착한 ZIO 박막의 Indium 도핑 함량 (3.33, 6.5, 9.54, 12.44, 15.22 wt%)에 따른 박막의 물성 변화에 대하여 연구하였다. 증착은 순수 Ar 가스를 사용하여 챔버 내 증착 압력 0.8Pa 에서 시행하였다. 기판과 타켓의 거리는 50mm, DC 파워는 80W로 고정하였으며 기판은 가열하지 않았다. ZIO 박막의 투과도, XRD 패턴, 전기적 특성을 관찰하기 위하여 각각 UV-VIS spectrophotometer, X-ray diffraction (XRD), Hall effect measurement (HMS-3000, ECOPIA)를 통해 분석하였다. 여러 함량 비의 ZIO 타겟을 통해 증착된 박막의 광학적, 전기적, 구조적 특성에 대하여 보고 하도록 하겠다. |
| 저자 | 박세훈1, 나결1, 이진호2, 송풍근1 |
| 소속 | 1부산대, 2(주) 삼성 코닝 정밀 유리 |
| 키워드 | ZIO; 마그네트론 스퍼터링; ITO; ZnO |
