| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | RF 및 DC 방전에 따른 Ga첨가 ZnO 박막의 전기적 및 광학적 특성 |
| 초록 | TCO(투명전도성산화물)는 다양한 디스플레이소자의 투명전극박막재료로서 널리 사용 되고 있다. TCO중 대표적인 물질인 ITO와 SnO2는 전기적, 광학적 특성이 뛰어나 FPD(Flat Panel Display), OLED(Organic light Emitting Diode), 태양전지 등 넓은 분야에서 적용 되고 있다. 그러나 원재료의 높은 비용과 성막 시 수소 분위기에서의 낮은 안전성 등의 문제점이 지적되고 있기 때문에, 최근 이를 보완 가능한 재료로서 ZnO계를 기초로 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 실험에서는 GZO(Gallium Zinc Oxide) 박막을 RF 와 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Ga2O3의 첨가량(2.27wt%, 4.49wt%, 6.65wt%, 8.76wt%)이 다른 고 밀도 GZO 타겟을 사용하여 실온에서 non-alkali glass 기판 위에 다양한 조건 파워(30~200W), 전압(0.4~0.8Pa), discharge types(RF or DC) 에서 성막 하였다. GZO 박막의 구조적 특성은 XRD(X-ray diffraction)를 사용하여 측정 되었고, 전기적 특성과 광학적 특성은 Hall effect measurements 와 UV-Vis spectrophotometer를 사용하여 각각 평가 되었으며, GZO 박막상의 상대적인 조성비는 XPS(X-ray photoelectron spectrometer)를 사용하여 평가 하였다. RF마그네트론 스퍼터링에 의해 제작된 박막이 DC마그네트론 스퍼터링에 의해 제작된 박막보다 결정성이 향상되었고, 상대적으로 낮은 비저항을 나타내었다. 이는 XRD결과 및 Hall effect 측정 결과로부터 확인 할 수 있었으며, 성막 시 RF가 DC보다 성장 중인 박막 표면상에 입사하는 고 에너지 입자들의 충격에너지의 감소에 기인한다고 생각된다. |
| 저자 | 박상은1, 이정철2, 이진호1, 송풍근2 |
| 소속 | 1부산대, 2재료공학부 |
| 키워드 | RF방전; DC방전; GZO; 마그네트론 스퍼터링 |
