| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (10/31 ~ 11/02, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | 포스터-에너지저장.변환 |
| 제목 | Termal Property of TEMAZ for Atomic layer deposition |
| 초록 | 초고집적 메모리 반도체 공정 기술의 핵심으로 전하의 저장을 위한 커패시터 형성 기술을 들 수 있다. 고유전박막을 이용하여 초고집적 DRAM용 캐패시터를 만들고자 하는 연구가 전세계 메모리 반도체 산업계에 걸쳐 활발히 이루어지고 있다. 소자의 집적화가 가속화되어 유전율 100 이상인 고유전 물질을 확보해야 한다. 박막의 경우 기존 CVD 법에 의해 step coverage 확보에 어려움을 격어왔으나 ALD 공정으로 인하여 문제점을 보완하려는 연구가 활발히 이루어지고 있다. ALD 공정에 들어가기전 전구체의 실시간 전상상태를 확인 할 수 없으므로 인한 질 적한 저하 등을 요소를 가지고 있으며 양산 후 남은 전구체를 외관상에 변색, 변질을 확인하고 전구체를 교체함으로써 엄청난 경제적인 손실과 안정적인 공급에 어려움이 있다. 그러므로 FT-IR(Fourier tramsform infrared), 상호 보완적으로 평가 할 수있는 RGA를 이용해 Gas thermal proprety 를 측정과 liquid thermal proprety 를 확인 함으로 최적의 ALD 공정조건을 확보할수 있으며 전구체 박막 특성을 논의 할 수 있을 것이다. |
| 저자 | 안종기1, 차덕준2, 김진태1, 윤주영1 |
| 소속 | 1한국표준과학(연), 2군산대 |
| 키워드 | TEMAZ; FT-IR; RGA; |
