| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 |
16권 1호 |
| 발표분야 |
G. Display (LCD, PDP, OLED) Materials(디스플레이 재료) |
| 제목 |
알루미늄이 도핑된 인듐 주석 산화물 트랜지스터 |
| 초록 |
산화물 전하이동층을 포함하는 산화물 트랜지스터는 전하 이동도가 높고 넓은 밴드갭의 이점이 있어 투명 전자 소자로 이용되어 왔으며, 이들의 성능 개선을 위해 전하이동층의 조성 및 결함 등을 조절하여 소자의 특성을 제어하는 기술이 주목받고 있다. 이번 연구에서는 기존에 전도체로 알려져 있는 ITO (indium tin oxide) 박막을 용액공정을 이용하여 제조하고 알루미늄을 첨가하여 산화물 반도체로 이용할 수 있도록 최적화 하였다. 제조된 트랜지스터는 Al : In : Sn의 3:6:1인 조성비에서 13.3 cm2•V−1•s−1 의 전하이동도와 107 의 on-to-off 전류비, 그리고 1.01 V/dec. 의 문턱전압이하 기울기를 보였다. |
| 저자 |
전준혁, 황영환, 서석준, 배병수
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| 소속 |
KAIST 신소재공학과 |
| 키워드 |
알루미늄; 트랜지스터; 산화물; 반도체
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