| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 |
7권 2호, p.4731 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
ULSI 배선을 위한 구리 무전해 도금 전처리 방법 최적화 연구 |
| 초록 |
본 논문에서는 막질의 특성이 우수한 구리 무전해 도금을 얻기 위해 필요한 웨이퍼 전처리에 대해서 조사하였다. 웨이퍼 전처리 과정은 확산 방지막 위에 존재하는 산화막 제거와 촉매인 팔라듐을 증착하는 과정으로 나뉜다. 확산 방지막으로 사용하는 TiN 표면 위에는 절연체인 산화막이 존재한다. 이것을 1% HF 용액으로 처리한 표면은 팔라듐을 증착할 때 습윤제가 없어도 증착이 잘 일어난다. 균일한 팔라듐을 증착하기 위해 필요한 최소한의 PdCl2 농도는 0.1 g/L로 결정하였다. 불균일한 팔라듐 위에 증착된 구리는 높은 비저항값과 거칠기값을 나타내었다. 구리 무전해 도금시 환원제인 HCHO가 산화됨에 따라 발생하는 수소는 구리 내에 포함되어 구리 막질을 악화시킨다. 이렇게 형성된 구리는 쉽게 산화되기 때문에, 구리 표면에서 수소를 빨리 제거하는 것이 중요하다. |
| 저자 |
차승환, 김재정
|
| 소속 |
서울대 |
| 키워드 |
pretreatment; electroless; copper; activation; palladium; titanium nitride
|
| E-Mail |
, |
| VOD |
VOD 보기 |
| 원문파일 |
초록 보기 |
