| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2003년 가을 (10/24 ~ 10/25, 한양대학교) |
| 권호 | 9권 2호, p.2738 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 양극 산화에 의한 다공성 알루미나 막의 제조 및 특성 분석 |
| 초록 | 본 연구에서는 Si wafer(100)을 기판으로 하여, thermal evaporator를 이용하여 Al 을 증착한 뒤 양극 산화법에 의해 다공성 알루미나 막을 만들었다. 이 때 양극 산화시간과 구멍 넓힘 시간을 달리하였다. 제작된 다공성 알루미나 막은 SEM, AFM 및 reflectance interference spectroscopy 분석을 하였다. |
| 저자 | 최지영, 조성민 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | Anodic aluminum oxide; Reflectance interference spectroscopy |
| 원문파일 | 초록 보기 |
