| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2008년 가을 (10/23 ~ 10/24, 부산 BEXCO) |
| 권호 |
14권 2호, p.3426 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
SiC Schottky Diode의 중성자선 조사에 따른 변화 |
| 초록 |
Silicon Carbide Schottky Barrier Diode(SBD) 는 높은 동작온도와 적은 누설전류 높은 파괴전압, 그리고 강한 기계적 특성을 가지고 있기 때문에 자동차등 가혹한 조건에서의 동작에서 많이 쓰이고 있다. 시중에는 이미 수 kV 대의 상용 SiC SBD가 시판중에 있으며 여러 가지 패터닝에 의한 구조개선이 진행되고 있어 점점 더 정류 특성이 좋은 소자가 개발되고 있다. 본 연구에서 사용된 Silicon Carbide는 큰 밴드갭 에너지를 가지고 있기 때문에 스페이스 셔틀이나 인공위성 등 우주공간에서도 많은 쓰임새가 있을 것으로 생각된다. 이에 본 연구에서는 방사선이 많은 우주환경에서의 동작특성을 알아보기 위해 중성자를 조사하기 전과 후의 SiC SBD의 동작특성을 측정하여 비교해 보았다. |
| 저자 |
고건우, 김홍렬, 김지현
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
SiC; Schottky Barrier Diode;
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
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