| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Si-wafer wet etching 시 etching time, etching temperature, 불산 및 질산 농도가 etching rate에 미치는 영향 |
| 초록 | 전자산업의 소형화와 경량화 추세와 함께 칩이나 패키지를 적층하는 삼차원 직접화 기술 개발이 차세대 핵심기술로 중요시 되고 있다. 특히 모바일이나 테블릿 PC 시장에서는 칩의 소형화와 더불어 경량 화된 제품들이 요구된다. 이와 같이 소형화, 경량화 및 삼차원 직접화 기술의 연구개발에 따라 수십 ㎛ 이하의 초박막 실리콘 웨이퍼가 요구되고 있는 실정이다. 반도체 실리콘 웨이퍼의 초박막화 기술로는 평면 연마 기술이 있다. 실리콘 웨이퍼를 평면 연마하는 기술로는 mechanical grinding, chemical mechanical polishing(CMP), wet etching 등이 있다. 현재까지는 CMP 기술이 독보적 우위에 있다. 하지만 CMP 기술은 한 장씩 처리되는 공정으로 저 생산성과 실리콘 웨이퍼 두께를 줄이는데 한계가 있다는 문제점이 있다. 따라서 다량의 wet etching법을 이용하여 chip이 적층된 실리콘 웨이퍼를 편측 식각하여 얇게 만드는 연구가 다양하게 진행 중이다. 본 연구는 Si-wafer wet etching 시 etching time, etching temperature, 불산 및 질산 농도가 etching rate에 미치는 영향을 실험적으로 연구하였다. |
| 저자 | 김준우1, 김범준2, 이현용2, 정지훈2, 이윤관3, 이상민2, 이상현1, 고성우1, 노재승2 |
| 소속 | 1(주)이코니, 2금오공과대, 3금오공과대하교 신소재시스템공학부 |
| 키워드 | Si-wafer; wet etching; Etching rate |
