| 초록 |
본 연구에서는 전기화학법을 통해 PbCrO4 microrod를 형성하고, 그 광반응성을 확인해보았다. 전착된 1 um 두께를 가진 1차원 막대 모양의 단결정이었으며, UV-vis 광선 (λ＜ 550 nm) 을 흡수하고 광산화반응성을 나타내었다. 광반응활성도는 PbCrO4 nanorod보다 우수하였으며, 이는 minority carrier 의 확산 길이가 약 100 nm 증가하여 기인한 것으로 해석된다. 광전기화학적 물산화에서 Co-Pi decorated PbCrO4 microrod는 뚜렷한 광전류 (1.23 V vs. RHE 일 때 0.5 mA/cm2, 1.5 AMG illumination) 와 높은 incident photon to current conversion efficiency (30% at λ=400 nm)을 나타내었다. 뿐만 아니라, Co-Pi decoration는 PbCrO4의 광산화에 의한 Pb4+의 형성을 억제하여 PbCrO4 microrod의 안정성을 증대시킨다. 뿐만 아니라, 본 연구에서는 다양한 방법으로 합성된 PbCrO4 의 재료 특성 및 광반응성을 확인하고 광전기화학적 물분해 반응에 적용해본다. |
