| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 22권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | TCAD 시뮬레이션을 통한 (CH3NH3)PbI3/Metal Contact 특성 및 전하 수송 해석 |
| 초록 | 산화물 기반의 ReRAM은 Cross-Point 구조의 3차원 적층이 용이하다는 점으로 인하여 고용량 스토리지를 위한 메모리 소자로 각광받아 왔다. 그러나, 높은 동작 전압 및 느린 스위칭 속도의 문제점들이 있다. 산화물 대신에 (CH3NH3)PbI3와 같은 요오드화물을 사용할 경우 산소-금속 결합보다 결합이 약하기 때문에 동작 전압 감소 및 빠른 스위칭 속도가 예상되며, 실제로 그렇다는 것을 몇몇 연구 그룹에서 보인 바가 있다. 본 연구에서는 (CH3NH3)PbI3 기반 ReRAM에서 금속과의 접합 특성의 중요성 및 소자 동작 특성의 향상을 위한 재료 엔지니어링의 방향을 TCAD 시뮬레이션을 통해 제시하고자 한다. |
| 저자 | 심하연1, 공영민2, 권용우1 |
| 소속 | 1홍익대, 2울산대 |
| 키워드 | <P>TCAD; 소자 시뮬레이션; Perovskite; ReRAM; 금속-반도체 접합</P> |
