| 초록 |
다이아몬드은 높은 경도 및 열전도도, 우수한 내열성, 내 방사성, 내 화학성, 박도체 특성 및 높은 hole 이동도와 작은 유전율, 가시광전에서 적외선에 이르는 넓은 광투광성 등의 우수한 성질을 가지고 있어 기계재료, 전자재료, 광학재료 등 넓은 분야에서 그 응용이 기대되는 재료이다. 화학 기상증착법을 이용한 다이아몬드 합성법은 코팅된 박막의 형태로 합성이 되어 다이아몬드의 다양한 응용을 가능하게 한다. 본 연구에서는 마이크로웨이브 플라즈마 CVD법을 이용하여 다이아몬드를 증착 하였고 증착 전 Si(100)의 기판의 표면처리를 다르게 하여 표면처리가 핵생성 밀도에 미치는 영향을 알아보았다. 반응가스로 메탄과 수소가스를 사용하였고 2시간 동안 30torr의 압력에서 다이아몬드을 증착시켰다. 기판의 표면처리는 크기가 다른 인조 다이아몬드 지립을 이용하여 각각 수동연마, 초음파 연마, Blasting에 의한 기판 표면처리를 행하였다. 표면처리를 한 Si기판의 표면조도 및 형상을 AFM으로 분석하였으며, 형성된 다이아몬드의 밀도는 SEM을 이용하여 측정하였고, 구조적 특성을 분석하기 위해 Raman Spectrometer, XRD분석을 하였다. 다이아몬드 형성이 주로 기판의 돌출된 부위에서 성장함을 알 수 있었다. |
