| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (10/22 ~ 10/24, 대전 DCC) |
| 권호 | 20권 2호, p.2037 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | GaAs 의 습식 세정 공정 중 단계별 표면 처리에 따른 표면 종단 특성 변화 연구 |
| 초록 | Silicon은 우수한 전기적 특성과 안정성, 저렴한 가격 때문에 반도체 소재로서 널리 사용되었다. 그러나 반도체의 미세화에 따른 short channel effect, tunneling 전류, 누설 전류 증가 등의 문제가 발생하고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방법 중 하나로, III-V족 화합물 반도체를 채널 물질로 이용하는 방법이 연구되고 있다. III-V족 물질을 이용한 반도체의 경우, 높은 이동도로 인한 디바이스 속도의 향상 및 저전력 소모에 의한 디바이스 특성 개선이 예상되며, 따라서 관련 기술에 대한 많은 연구개발이 이루어지고 있다. 본 연구에서는 III-V족 반도체 물질 중 하나인 GaAs가 습식 세정 공정 중 산화 및 에칭 과정을 거치는 동안 표면 종단이 어떤 변화를 보이는지를 관찰하고 그 메커니즘을 파악하여 III-V족 화합물 반도체 세정 공정 개발에 필요한 기반 지식 및 데이터를 확보하는 것을 목적으로 하였다. 본 연구에서는 GaAs 웨이퍼를 절단하여 샘플을 준비하고, 이를 오존수, HF 수용액, BHF 용액 등 여러 wet treatment 조건에서 산화-에칭-재산화 과정을 거치는 동안 표면 종단의 상태가 어떻게 변화하는가를 측정하였다. Oxygen, hydrogen등과 웨이퍼 표면의 결합 상태는 MIR-FTIR 방식을 이용하여 확인하였고, contact angle과 AFM 측정을 통해 표면 종단 상태 변화에 따른 특징이 어떻게 나타나는가를 확인하였다. |
| 저자 | 이진훈, 오은석, 김솔바로, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | III-V semiconductor; GaAs; cleaning process |
| 원문파일 | 초록 보기 |
