| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2019년 봄 (05/01 ~ 05/03, 부산 벡스코(BEXCO)) |
| 권호 |
23권 1호 |
| 발표분야 |
디스플레이_포스터 |
| 제목 |
Thienoisoindigo 기반의 고분자 반도체의 대칭적인 곁가지 길이에 따른 트랜지스터 특성 변화 연구 |
| 초록 |
Thienoisoindigo 와 thiophenylene vinylene thiophene (TVT)/selenophenylene vinylene selenophene (SVS) 구조를 공중합체해서 대칭적인 곁가지의 길이를 다르게 여러 고분자를 합성하였다. 이렇게 합성한 고분자를 유기트랜지스터의 활성층으로 사용해 트랜지스터의 성능을 살펴본 결과, TVT 계열의 고분자에서는 곁가지 길이가 길어질수록 이동도가 증가되었고 SVS에서는 이동도가 감소한다는 사실을 관찰할 수 있었다. 이러한 성능 차이를 고분자의 결정구조에 기인한다는 것을 X선 산란, 시차열분석법을 통해 설명하였다. |
| 저자 |
안태규1, 박태호2, 김예별2, Michael Ruby Raj2
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| 소속 |
1한국교통대, 2포항공과대 |
| 키워드 |
디스플레이; 구동소자; 트랜지스터
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