| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 22권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 화학기상증착법를 사용한 ReS2의 성장 및 분석 |
| 초록 | ReS2 대면적 성장을 주제로 한 실험의 목적은 반도체 대표적 물질인 실리콘을 대체를 위함이다. 실리콘에 비해 ReS2 물질은 Transition Metal Dichalcogenides (TMDs) 물질로써 우수한 강도와 신축성, 높은 빛 투과율 그리고 실리콘에 10배에 달하는 열 전도성, 전기전도성을 가지고 있어 미래의 반도체 대체 주요 물질로 손꼽히고 있다. 또한, 레이어 수에 관계없이 direct band gap 특성을 보이며, 물질 구조적 특성으로 인해 anisotropic 한 광학특성을 보인다. 본 실험은 보편적인 화학기상증착법(Chemical vapor deposition, CVD)를 이용하여 진행하였다. 상압에서 아르곤 베이스로 퍼니스 안의 환경을 조성하고 실험하였으며, 실험에는 one zone 퍼니스, Sulfur , Re 소스와 promoter가 코팅된 웨이퍼, Ar 가스를 주입할 가스투입기 등으로 실험 장치가 구성된다. 실험의 진행은 퍼니스 안의 유리기판에 녹인 Sulfur과 코팅 된 웨이퍼를 450 ~ 800°C의 온도 두고 진행하였고, 아르곤, 온도, promoter, Re 소스의 양과 비율을 조절하여 비교해 보았다. 이 후, 이를 분석하기 위해 optical microscopy, scanning electron beam microscopy(SEM), Raman spectroscopy 등을 이용하여 성장한 ReS2의 특성을 알아보았다. |
| 저자 | 이중훈, 한성열, 유우종 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | Transition metal dichalcogenide; ReS<SUB>2</SUB>; Chemical vapor deposition |
