| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 |
13권 1호 |
| 발표분야 |
전자재료 |
| 제목 |
SiO2 첨가 CaCu3Ti4O12 세라믹스의 미세구조와 유전특성 |
| 초록 |
CaCu3Ti4O12 (CCTO) 세라믹스는 유전율이 10,000 - 100,000로 보고되고 있다. CCTO 다결정체의 높은 유전율은 입계에서의 장벽층에 의한 것으로 받아들여 지고 있다. 실제로 비정상입성장에 의해 형성된 조대한(coarse) 미세구조의 CCTO 시편은 미세한(fine) 미세구조의 CCTO 시편에 비해 10-100배 높은 유전율을 나타낸다. CCTO 세라믹의 비정상 입성장은 원자적으로 평탄한 입계구조에서 확산을 용이하게 하는 입계액상이 존재할 때 잘 일어난다. 본 연구에서는 입계액상의 형성을 촉진시킬 것으로 기대되는 SiO2를 첨가했을 때의 CCTO 시편의 미세구조 및 유전특성 변화를 고찰했다. SiO2를 2 wt% 첨가했을 경우, 비정상 입성장의 시작온도는 1100oC에서 1060oC로 감소되었고, 균일하고 조대한 미세구조를 얻는 온도도 1140oC에서 1100oC로 감소했다. SiO2의 첨가에 의해 입계액상이 더 낮은 온도에서 생성되는 것이 비정상 입성장이 일어나는 온도를 약 40oC 낮춘것으로 해석된다. SiO2-첨가 CCTO시편에서도 조대한 미세구조를 가진 시편의 유전율이 미세한 미세구조를 가진 시편에 비해 매우 크게 나타났다. 이는 입계에서의 장벽층이 고유전율의 원인임을 말해준다. |
| 저자 |
김강민1, 김선중1, 조윤호1, 이종흔1, 김도연2
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| 소속 |
1고려대, 2서울대 |
| 키워드 |
CaCu3Ti4O12; 유전체; 비정상입성장
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| E-Mail |
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