| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 |
23권 1호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 |
Si(100)에 ALD모드로 성장시킨 ZnO의 온도별 성장 메커니즘 |
| 초록 |
Si (100) 기판 위에 원자 층 증착(ALD)에 의한 ZnO의 성장 메커니즘이 조사되었다. ALD 메카니즘은 각각의 기판 배향 및 온도 의존성 증착 속도를 사용하여 결정되었다. ZnO 증착 온도는 75 ° C ~ 150 ° C로 확인되었으며 사이클 당 성장률 (GPC)은 1.0Å ~ 2.0Å이었다. ZnO의 성장방향이 온도가 증가함에 따라 (002)에서 (100)으로 변화되었다. ZnO 성장에 따른 변경된 우선성장 방향은 표면 활성화 및 표면 패시베이션 효과와 관련이있다. ZnO 박막은 전계 방출 주사 전자 현미경(Fe-SEM) 및 X 선 회절 분석기(XRD)을 사용하여 조사되었다. |
| 저자 |
조승희, 변동진, 김대식, 정우섭, 박준성, 김철, 고현아
|
| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
ALD; ZnO; Temperature
|
| E-Mail |
|
