| 초록 |
최근 GeSbTe (GST) 같은 칼코지나이드(chalcogenide) 화합물의 결정상태와 비결정상태의 큰 저항차이를 이용한 상변화메모리(Phase-Change Random Access Memory: PRAM) 소자가 차세대 메모리소자로 각광을 받으며 많은 연구가 진행되고 있다. 기존 메모리소자를 대체하기 위한 차세대 PRAM은 고집적화를 위한 작은 셀 크기, 작은 소비전력 및 빠른 속도가 필수적이다. 이를 위해 수 십 nm 크기로 GST를 제작하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있고, bottom-up 접근방법에 의한 GST 나노선 제조가 가능성 있는 대안으로 관심을 끌고 있다. 극히 최근 vapor-liqui-soild (VLS)법을 이용한 GST 나노선 제조결과 및 상변화특성이 발표되고 있으나 아직도 GST 나노선의 크기, 모양 및 방향성 성장 제어에 관한 연구결과는 미흡하다. 본 연구에서는 VLS법으로 GeTe 나노선을 제조하였으며, 이때 Au 금속촉매의 크기에 따른 GeTe 나노선 성장 특성을 연구하였다. GeTe는 튜브 노에서 각각 500-650 oC 범위에서 기화를 시켜 Ar과 H2 혼합가스를 사용하여 ~3, 7, 10, 20 nm의 Au가 증착된 Si(100) 웨이퍼 위로 전달되어졌다. 나노선 성장온도는 400-500 oC 사이에서 변화되어졌다. 일반적인 VLS법에 의한 나노선 성장과는 달리 GeTe 나노선의 경우 성장된 나노선의 직경이 초기 형성된 Au ball 크기에 따라 크게 변하지 않는 것을 볼 수 있었으며, 성장온도에 더욱 민감하게 변하는 것으로 관찰할 수 있었다. 보다 자세한 연구결과 및 GeTe 나노선 성장메커니즘이 논의될 것이다. |
